主流品牌内存参数解读-yb体育app官网

以下皆为ddr sdram品牌内存：

hynix ddr sdram颗粒编号：

hy xx x xx xx x x x x x x x - xx x

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

定义：

1． hy是hynix的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5d=ddr sdram）

3． 处理工艺及供电：（v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s：vdd=1.8v & vddq=1.8v）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64m 4k刷新；66：64m 2k刷新；28：128m 4k刷新；56：256m 8k刷新；57：256m 4k刷新；12：512m 8k刷新；1g：1g 8k刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；l=低功耗型）

10． 封装类型：（t=tsop；q=lofp；f＝fbga；fc＝fbga（utc:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；s=hynix；k=m&t；j＝其它；m=mcp（hynix）；mu＝mcp（utc））

12． 封装原料：（空白=普通；p=铅；h＝卤素；r=铅 卤素）

13． 速度：（d43＝ddr400 3-3-3；d4=ddr400  3-4-4；j＝ddr333；m＝ddr333 2-2-2；k＝ddr266a；h＝ddr266b；l＝ddr200）

14． 工作温度：（i=工业常温（-40 - 85度）；e=扩展温度（-25 - 85度））

lgs的内存编码规则：

gm 72 x xx xx x x x x x xxx

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、gm代表lgs公司。

2、72代表sdram。

3、v代表3v电压。

4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16m，4k刷新；17：16m，2k刷新；28：128m，4k刷新；64： 64m，16k刷新。65：64m，8k刷新；66：64m，4k刷新。

5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：1band，2：2bank，4：4bank，8：8bank

7、i／o界面：一般为1

8、产品系列：从a至f。

9、功耗：空白则是普通，l是低功

10、封装模式：一般为t（tsop）

11、速度：其中：8：8ns，7k：10ns（cl2），7j（10ns，cl2&3），10k（10ns[一说15ns]，pc66），

12（12ns，83hz），15（15ns，66hz）

hy内存的编码规则：

hy 5x x xxx xx x x x x－ xx xx

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、hy代表现代。

2、一般是57，代表sdram。

3、工艺：空白则是5v，v是3v。

4、内存单位容量和刷新单位：16：16m4k刷新；64：64m，8k刷新；65：64m，4k刷新；128：128m， 8k刷新；129：128m，4k刷新。

5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：2bank，2：4bank；3：8bank；

7、i／o界面：一般为0

8、产品线：从a－d系列

9、功率：空白则为普通，l为低功耗。

10、封装：一般为tc（tsop）

11、速度：7：7ns，8：8ns，10p：10ns（cl2&3），10s：10ns，（pc100，cl3），10：10ns，

12： 12ns，15：15ns

sec（三星samsung） sec编码规则：

km4 xx s xx 0 x x xt－xx

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

定义：

1、km代表sec三星，此处编码一般均为4。

2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

3、一般均为s

4、这个数乘以s前边的位数就是内存的容量。

5、一般均为0

6、芯片组成：2：2bank，3：4bank

7、i／o界面：一般为0

8、版本号

9、封装模式：一般为t：tsop

10、功耗：f低耗，g普通

11、速度：7：7ns，8：8ns，h：10ns（cl2&3），l：10ns（cl3），10：10ns。

mt（micron美凯龙）编码规则：

mt48 xx xx m xx ax tg－xx x

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

定义：

1、mt代表美凯龙micron

2、48代表sdram。

3、一般为lc：普通sdram

4、此数与m后位数相乘即为容量。

5、一般为m

6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位

7、ax代表write recovery(twr)，a2则代表twr=2clk

8、tg代表tsop封装模式。

9、速度：7：7ns，75：7．5ns，8x：8ns（其中x为从a到e：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以d和e较好），

10：10ns 10、如有l则为低功耗，空白则为普通。

hitachi（日立hitachi）编码规则：

hm 52 xx xx 5 x x tt－ xx

1 2 3 4 5 6 7 8 9

定义：

1、hm代表日立。

2、52代表sdram，51则为edo

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为5

6、产品系列：a－f

7、功耗：l为低耗，空白则为普通

8、tt为tsop封装模式

9、速度：75：7．5ns，80：8ns，a60：10ns（cl2&3），b60：10ns（cl3）

siemens（西门子）编码规则：

hyb39s xx xx 0 x t x －x

1 2 3 4 5 6 7 8 9

定义：

1、hyb代表西门子

2、39s代表sdram

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为0

6、产品系列

7、一般为t

8、l为低耗，空白为普通

9、速度： 6：6ns，7：7ns，7．5：7．5ns，8：8ns（cl2），8b：10ns（cl3），10：10ns

fujitsu（富士通fujitsu）编码规则：

mb81 x xx xx x2 x－xxx x fn

1 2 3 4 5 6 7 8 9

定义：

1、mb81代表富士通的sdram

2、pc100标准的多为f，普通的内存为1

3、容量

4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位

5、芯片组成：22：2bank，42：4bank

6、产品系列

7、速度：60：6ns，70：7ns，80：8ns，102：10ns（cl2&3），103：10ns（cl3），100：10ns，84： 12ns，67：15ns

toshiba（东芝）编码规则：

tc59s xx xx x ft x－xx

1 2 3 4 5 6 7 8

定义：

1、tc代表东芝

2、59s代表普通sdram

3、容量：64：64mbit，128：128mbit

4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位

5、产品系列：a－b

6、ft为tsop封装模式

7、空白为普通，l为低功耗

8、速度；75：7．5ns，80：8ns，10：10ns（cl3）

mitsubishi（三菱）编码规则：

m2 v xx s x 0 x tp－xx x

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

定义：

1、m2代表三菱产品

2、i／o界面。一般为v

3、容量

4、一般为s，说明是sdram

5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位

6、一般为0

7、产品系列

8、tp代表tsop封装

9、速度： 8a：8ns，7：10ns（cl2&3），8：10ns（cl3），10：10ns。

10、空白为普通，l为低耗。