ddr3内存参数对比-yb体育app官网
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ddr3内存采用了odt（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的emrs技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，ddr3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃tsopii与mbga封装形式，采用更为先进的fbga封装。ddr iii内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5v的电压下。
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ddr3
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ddr2
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电压 vdd/vddq
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1.5v/1.5v ( /-0.075)
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1.8v/1.8v ( /-0.1)
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i/o接口
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sstl_15
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sstl_18
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数据传输率(mbps)
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800/1066/1333/1600
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400/533/667/800
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容量标准
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512mb-8gb
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256mb-4gb
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cl(cas潜伏期)
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5/6/7/8/9/10/11
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3/4/5/6
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al(附加潜伏期)
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0/cl-1/cl-2
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0/1/2/3/4
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rl(读取潜伏期)
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al cl
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al cl
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wl(写入潜伏期)
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al cwl cwl=5/6/7/8
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rl-1
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预取设计(bit)
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8
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4
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逻辑bank数量
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8（512mb/1gb/2gb/4gb/8gb）
16 |
4（256mb/512mb）
8（1gb/2gb/4gb） |
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突发长度
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bc4/bl8
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bl4/bl8
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封装
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fbga
78-ball:x4/x8 96-ball:x16 |
fbga
60-ball:x4/x8 84-ball:x16 |
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引脚标准
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240pin dimm
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240pin dimm
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