次世代存储器要来了 台积电三星英特尔“同台竞技”-yb体育app官网
来源：钜亨网 原作者：许光吟
《韩国经济日报》报导，传三星电子(samsung electronics)已在磁阻式随机存取存储器(mram)取得重大进展，市场估计在5月24日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的mram存储器。
由于标准型存储器dram、nand flash等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代存储器“磁电阻式随机存取存储器(mram)”，与含3d xpoint技术的“相变化存储器(pram)”及“电阻式动态随机存取存储器(rram)”。
上述三类次世代存储器皆具有非挥发性存储器技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代存储器处理速度，将比一般闪存存储器还要快上十万倍。
目前三星电子正大力发展mram存储器，而另一半导体巨擘英特尔(intc-us)则是强攻含3d xpoint技术的pram型存储器。
全球最大半导体代工厂台积电亦曾在4月13日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型存储器领域，因为台积电目前已具备“量产”mram及电阻式动态随机存取存储器(rram)等新型存储器之技术。
据韩国半导体业内人士透露，全球半导体巨擘正在次世代存储器市场内强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。
《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取存储器(mram)、相变化存储器(pram)、电阻式动态随机存取存储器(rram)等三大次世代存储器中，又以mram的处理速度最快，但也是最难量产的存储器类型。
据了解，目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体(nxpi-us)已经决定采用三星电子的mram存储器，以应用在相关的物联网装置之上。
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