来源:
by judy chen, market intelligence team, dramexchange
我们可以大约区分nand flash技术为三个领域。最大的一个则是nand技术。这中间有包含samsung、toshiba、hynix、stmicroelectronics、以及micron的厂商。其次,是使用and技术的renesas。最后一个是使用twinflash技术的infineon technologies flash gmbh & co. kg/ltd(一个由infineon technologies ag持股70% 以及saifun semiconductor ltd. 持股30%的合资企业)。
除了以上所介绍的技术之外,我们也要考虑到cell architecture,不论是哪种nand flash技术。我可区分为两大类: single-level cell (slc) 以及multi-level cell (mlc)。slc nand flash适合高效能的产品,其中一个cell只有储存一个bit;而mlc nand flash适合价格敏感度较高的产品,其中一个cell储存二个bit 。终端产品厂商可以使用slc较先进的制成或直接使用mlc来达到储存容量最大化。
在nand技术方面,toshiba是nand flash cell inventor创始者(有一些技术是与yb体育app官方下载的合作伙伴sandisk一起研发的)。toshiba有使用 slc 与 mlc的技术来制造nand flash,并是mlc方面的技术领先者,最先进的非堆栈颗粒是4gb/mlc/90nm。 samsung 则现在nand flash 产业的领先者,目前使用slc拥有超过60%的市场占有率,其最先进的非堆栈颗粒是2gb/slc/90nm。此技术领域的其余厂商有包含hynix, stmicroelectronics以及micron均以slc的技术进入。此技术领域的厂商要增加储存容量除了透过较先进的技术减少die size之外,亦可以透过使用large block cells来取代small blocks (small=16kb/block; large=128kb/block)。
请看下星期的完结篇!